SQSA80ENW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQSA80ENW
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 422 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8W
Búsqueda de reemplazo de SQSA80ENW MOSFET
SQSA80ENW Datasheet (PDF)
sqsa80enw.pdf

SQSA80ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33 DSS44SS
Otros transistores... SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , IRFP260N , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , SUP10250E , SUP90142E , TN2404K , TN2404KL , 10N60L-TA3-T .
History: 2N6802JANTXV | IRFP3006 | AUIRF3710ZS | IRLR230A | RHK003N06T146 | NCEP40P65GU | SMOS48N50
History: 2N6802JANTXV | IRFP3006 | AUIRF3710ZS | IRLR230A | RHK003N06T146 | NCEP40P65GU | SMOS48N50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0608PU | JMSL0608PP | JMSL0608PK | JMSL0608PGD | JMSL0608PG | JMSL0606PU | JMSL0606PG | JMSL0606PE | JMSL0606AUQ | JMSL0606AU | JMSL0606AP | JMSL0606AKQ | JMSL0606AK | JMSL0606AGWQ | JMSL0606AGQ | JMSL0606AGD
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