SQSA80ENW Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQSA80ENW  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 422 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8W

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SQSA80ENW datasheet

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SQSA80ENW

SQSA80ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFET D D 8 D D AEC-Q101 qualified 7 7 D D 6 6 100 % Rg and UIS tested 5 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 D S S 4 4 S S

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