SQSA80ENW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQSA80ENW
Código: Q029
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 80 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 17 nC
Tiempo de elevación (tr): 2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 422 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.021 Ohm
Empaquetado / Estuche: POWERPAK-1212-8W
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQSA80ENW
SQSA80ENW Datasheet (PDF)
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SQSA80ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33 DSS44SS
Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF3710 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .
