Справочник MOSFET. SQSA80ENW

 

SQSA80ENW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SQSA80ENW

Маркировка: Q029

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17 nC

Время нарастания (tr): 2 ns

Выходная емкость (Cd): 422 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8W

Аналог (замена) для SQSA80ENW

 

 

SQSA80ENW Datasheet (PDF)

..1. sqsa80enw.pdf Size:625K _vishay

SQSA80ENW
SQSA80ENW

SQSA80ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33 DSS44SS

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF3710 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
Back to Top