Справочник MOSFET. SQSA80ENW

 

SQSA80ENW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQSA80ENW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 422 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8W
 

 Аналог (замена) для SQSA80ENW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQSA80ENW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  vishay
 sqsa80enw.pdf pdf_icon

SQSA80ENW

SQSA80ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33 DSS44SS

Другие MOSFET... SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , IRFP260N , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , SUP10250E , SUP90142E , TN2404K , TN2404KL , 10N60L-TA3-T .

History: UPA2591T1H | 2SJ612

 

 
Back to Top

 


 
.