SQSA80ENW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQSA80ENW  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 422 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8W

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SQSA80ENW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQSA80ENW даташит

 ..1. Size:625K  vishay
 sqsa80enw.pdf pdf_icon

SQSA80ENW

SQSA80ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFET D D 8 D D AEC-Q101 qualified 7 7 D D 6 6 100 % Rg and UIS tested 5 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 D S S 4 4 S S

Другие IGBT... SQJB90EP, SQM50028EM, SQM90142E, SQP90142E, SQS401ENW, SQS481ENW, SQS482ENW, SQS484ENW, IRLZ44N, SUD08P06-155L-GE3, SUD80460E, SUM70060E, SUP10250E, SUP90142E, TN2404K, TN2404KL, 10N60L-TA3-T