SQSA80ENW - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQSA80ENW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 422 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8W
SQSA80ENW Datasheet (PDF)
sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFET D D 8 D D AEC-Q101 qualified 7 7 D D 6 6 100 % Rg and UIS tested 5 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 D S S 4 4 S S
Другие MOSFET... SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , IRLZ44N , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , SUP10250E , SUP90142E , TN2404K , TN2404KL , 10N60L-TA3-T .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40


