SUD08P06-155L-GE3 Todos los transistores

 

SUD08P06-155L-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUD08P06-155L-GE3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20.8 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 8.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2(typ) V

Carga de compuerta (Qg): 12.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.155 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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SUD08P06-155L-GE3 Datasheet (PDF)

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SUD08P06-155L-GE3
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SUD08P06-155L-GE3www.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESDPAK (TO-252)DPAK ( TrenchFET power MOSFETs Material categorization:Drain connected to tabfor definitions of compliance pleasesee www.vishay.com/doc?99912SSDGGTop ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) -60RDS(on) max. () at VGS = -10 V 0.155DRDS(on) max. () at VGS =

0.2. sud08p06-155l-e3.pdf Size:829K _cn_vbsemi

SUD08P06-155L-GE3
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SUD08P06-155L-E3www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParame

 1.1. sud08p06-155l.pdf Size:79K _vishay

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New ProductSUD08P06-155LVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Rated Maximum Junction TemperatureRoHS0.155 at VGS = - 10 V - 8.4- 60 12.5 COMPLIANT0.280 at VGS = - 4.5 V - 7.4STO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information:

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