SUD08P06-155L-GE3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUD08P06-155L-GE3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2(typ) V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.5 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 65 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.155 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SUD08P06-155L-GE3
SUD08P06-155L-GE3 Datasheet (PDF)
0.1. sud08p06-155l-ge3.pdf Size:169K _vishay
SUD08P06-155L-GE3www.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESDPAK (TO-252)DPAK ( TrenchFET power MOSFETs Material categorization:Drain connected to tabfor definitions of compliance pleasesee www.vishay.com/doc?99912SSDGGTop ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) -60RDS(on) max. () at VGS = -10 V 0.155DRDS(on) max. () at VGS =
0.2. sud08p06-155l-e3.pdf Size:829K _cn_vbsemi
SUD08P06-155L-E3www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParame
1.1. sud08p06-155l.pdf Size:79K _vishay
New ProductSUD08P06-155LVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Rated Maximum Junction TemperatureRoHS0.155 at VGS = - 10 V - 8.4- 60 12.5 COMPLIANT0.280 at VGS = - 4.5 V - 7.4STO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information:
Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF3710 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: UTT6NP10G-S08-R | UTT6NP10L-S08-R | UTT6NP10G-TN4-R | UTT6NP10L-TN4-R | UTT4850G-S08-R | UTT4850L-S08-R | UTT30P06G-TN3-R | UTT30P06L-TN3-R | UTT30P06G-TQ2-R | UTT30P06L-TQ2-R | UTT30P06G-TQ2-T | UTT30P06L-TQ2-T | UTT30P06G-TM3-T | UTT30P06L-TM3-T | UTT30P06G-TF3-T | UTT30P06L-TF3-T