SUD80460E Todos los transistores

 

SUD80460E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUD80460E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 65.2 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 42 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 10.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 148 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0447 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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SUD80460E Datasheet (PDF)

..1. sud80460e.pdf Size:215K _vishay

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SUD80460Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-252TO ThunderFET power MOSFET Maximum 175 C junction temperatureDrain connected to tab 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912S APPLICATIONSDD Boost converterGTop View LED back

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