SUD80460E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUD80460E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0447 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
- Selección de transistores por parámetros
SUD80460E Datasheet (PDF)
sud80460e.pdf

SUD80460Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-252TO ThunderFET power MOSFET Maximum 175 C junction temperatureDrain connected to tab 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912S APPLICATIONSDD Boost converterGTop View LED back
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History: SST65R280S2E | IPP076N12N3G | NVTFS002N04CL | NTLJS17D0P03P8Z | NTMFS4H01N | CTM09N20 | NCEP6080G
History: SST65R280S2E | IPP076N12N3G | NVTFS002N04CL | NTLJS17D0P03P8Z | NTMFS4H01N | CTM09N20 | NCEP6080G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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