SUD80460E Todos los transistores

 

SUD80460E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUD80460E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0447 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SUD80460E Datasheet (PDF)

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SUD80460E

SUD80460Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-252TO ThunderFET power MOSFET Maximum 175 C junction temperatureDrain connected to tab 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912S APPLICATIONSDD Boost converterGTop View LED back

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History: SST65R280S2E | IPP076N12N3G | NVTFS002N04CL | NTLJS17D0P03P8Z | NTMFS4H01N | CTM09N20 | NCEP6080G

 

 
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