SUD80460E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUD80460E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0447 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SUD80460E Datasheet (PDF)
sud80460e.pdf

SUD80460Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-252TO ThunderFET power MOSFET Maximum 175 C junction temperatureDrain connected to tab 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912S APPLICATIONSDD Boost converterGTop View LED back
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: HAT2210R | P0804BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor