Справочник MOSFET. SUD80460E

 

SUD80460E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SUD80460E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65.2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 10.5 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 148 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0447 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SUD80460E

 

 

SUD80460E Datasheet (PDF)

..1. sud80460e.pdf Size:215K _vishay

SUD80460E
SUD80460E

SUD80460Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-252TO ThunderFET power MOSFET Maximum 175 C junction temperatureDrain connected to tab 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912S APPLICATIONSDD Boost converterGTop View LED back

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF3710 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
Back to Top