SUD80460E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SUD80460E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0447 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SUD80460E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD80460E даташит

 ..1. Size:215K  vishay
 sud80460e.pdf pdf_icon

SUD80460E

SUD80460E www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TO-252 TO ThunderFET power MOSFET Maximum 175 C junction temperature Drain connected to tab 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 S APPLICATIONS D D Boost converter G Top View LED back

Другие IGBT... SQM90142E, SQP90142E, SQS401ENW, SQS481ENW, SQS482ENW, SQS484ENW, SQSA80ENW, SUD08P06-155L-GE3, IRF640N, SUM70060E, SUP10250E, SUP90142E, TN2404K, TN2404KL, 10N60L-TA3-T, 10N60G-TA3-T, 10N60L-TF3-T