SUD80460E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUD80460E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0447 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SUD80460E
SUD80460E Datasheet (PDF)
sud80460e.pdf

SUD80460Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-252TO ThunderFET power MOSFET Maximum 175 C junction temperatureDrain connected to tab 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912S APPLICATIONSDD Boost converterGTop View LED back
Другие MOSFET... SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , IRF630 , SUM70060E , SUP10250E , SUP90142E , TN2404K , TN2404KL , 10N60L-TA3-T , 10N60G-TA3-T , 10N60L-TF3-T .
History: FDMA86108LZ | 5N65G-TN3-R | AOI600A60 | IPB60R160C6 | SSM5N16FE | CJP10N65
History: FDMA86108LZ | 5N65G-TN3-R | AOI600A60 | IPB60R160C6 | SSM5N16FE | CJP10N65



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor