SUP10250E Todos los transistores

 

SUP10250E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUP10250E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 93 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0315 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

 Búsqueda de reemplazo de SUP10250E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SUP10250E datasheet

 ..1. Size:165K  vishay
 sup10250e.pdf pdf_icon

SUP10250E

SUP10250E www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Coss FOM 0.0315 at VGS = 10 V 63 250 57.6 nC Maximum 175 C junction temperature 0.0325 at VGS = 7.5 V 62 100 % Rg and UIS tested Material categorization TO-2

Otros transistores... SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , AO3400 , SUP90142E , TN2404K , TN2404KL , 10N60L-TA3-T , 10N60G-TA3-T , 10N60L-TF3-T , 10N60G-TF3-T , 10N60L-TF1-T .

History: FCA47N60F109

 

 

 


 
↑ Back to Top
.