SUP10250E Todos los transistores

 

SUP10250E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUP10250E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 93 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0315 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

SUP10250E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  vishay
 sup10250e.pdf pdf_icon

SUP10250E

SUP10250Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Coss FOM0.0315 at VGS = 10 V 63250 57.6 nC Maximum 175 C junction temperature0.0325 at VGS = 7.5 V 62 100 % Rg and UIS tested Material categorization:TO-2

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History: KUK7606-55A | 2SJ362 | PMN50UPE | 2N7089

 

 
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