SUP10250E Todos los transistores

 

SUP10250E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUP10250E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 375 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 250 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 63 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 57.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 93 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 184 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0315 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220AB

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SUP10250E Datasheet (PDF)

..1. sup10250e.pdf Size:165K _vishay

SUP10250E
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SUP10250Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Coss FOM0.0315 at VGS = 10 V 63250 57.6 nC Maximum 175 C junction temperature0.0325 at VGS = 7.5 V 62 100 % Rg and UIS tested Material categorization:TO-2

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