SUP10250E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SUP10250E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 93 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0315 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SUP10250E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP10250E даташит

 ..1. Size:165K  vishay
 sup10250e.pdf pdf_icon

SUP10250E

SUP10250E www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Coss FOM 0.0315 at VGS = 10 V 63 250 57.6 nC Maximum 175 C junction temperature 0.0325 at VGS = 7.5 V 62 100 % Rg and UIS tested Material categorization TO-2

Другие IGBT... SQS401ENW, SQS481ENW, SQS482ENW, SQS484ENW, SQSA80ENW, SUD08P06-155L-GE3, SUD80460E, SUM70060E, IRF640N, SUP90142E, TN2404K, TN2404KL, 10N60L-TA3-T, 10N60G-TA3-T, 10N60L-TF3-T, 10N60G-TF3-T, 10N60L-TF1-T