Справочник MOSFET. SUP10250E

 

SUP10250E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP10250E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 93 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0315 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP10250E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  vishay
 sup10250e.pdf pdf_icon

SUP10250E

SUP10250Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Coss FOM0.0315 at VGS = 10 V 63250 57.6 nC Maximum 175 C junction temperature0.0325 at VGS = 7.5 V 62 100 % Rg and UIS tested Material categorization:TO-2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RJK0406JPE | VBA4311 | SGSP311 | P0425AD | STW28N60M2 | MCH6448 | FDM50R120AN4G

 

 
Back to Top

 


 
.