Справочник MOSFET. SUP10250E

 

SUP10250E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP10250E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 93 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0315 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SUP10250E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP10250E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  vishay
 sup10250e.pdf pdf_icon

SUP10250E

SUP10250Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Coss FOM0.0315 at VGS = 10 V 63250 57.6 nC Maximum 175 C junction temperature0.0325 at VGS = 7.5 V 62 100 % Rg and UIS tested Material categorization:TO-2

Другие MOSFET... SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , IRF3710 , SUP90142E , TN2404K , TN2404KL , 10N60L-TA3-T , 10N60G-TA3-T , 10N60L-TF3-T , 10N60G-TF3-T , 10N60L-TF1-T .

History: AOTF20S60 | STD5NK50ZT4 | FDD6N20TM | FQPF7N20L | WMO35P04T1 | IRF530A | R8008ANJ

 

 
Back to Top

 


 
.