SUP10250E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUP10250E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 93 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0315 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SUP10250E
SUP10250E Datasheet (PDF)
sup10250e.pdf

SUP10250Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Coss FOM0.0315 at VGS = 10 V 63250 57.6 nC Maximum 175 C junction temperature0.0325 at VGS = 7.5 V 62 100 % Rg and UIS tested Material categorization:TO-2
Другие MOSFET... SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , IRF3710 , SUP90142E , TN2404K , TN2404KL , 10N60L-TA3-T , 10N60G-TA3-T , 10N60L-TF3-T , 10N60G-TF3-T , 10N60L-TF1-T .
History: AOTF20S60 | STD5NK50ZT4 | FDD6N20TM | FQPF7N20L | WMO35P04T1 | IRF530A | R8008ANJ
History: AOTF20S60 | STD5NK50ZT4 | FDD6N20TM | FQPF7N20L | WMO35P04T1 | IRF530A | R8008ANJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTK3005L | JMTK3005C | JMTK3005B | JMTK3005A | JMTK3004A | JMTK3003A | JMTK3002B | JMTK290N06A | JMTK2007A | JMTK2006A | JMTK170N10A | JMTK160P03A | JMTK1404A1 | JMTK130P04A | JMTK120N03A | JMTK110N06A
Popular searches
ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet