SUP10250E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SUP10250E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 93 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0315 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SUP10250E
SUP10250E Datasheet (PDF)
sup10250e.pdf

SUP10250Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Coss FOM0.0315 at VGS = 10 V 63250 57.6 nC Maximum 175 C junction temperature0.0325 at VGS = 7.5 V 62 100 % Rg and UIS tested Material categorization:TO-2
Другие MOSFET... SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , IRFB4227 , SUP90142E , TN2404K , TN2404KL , 10N60L-TA3-T , 10N60G-TA3-T , 10N60L-TF3-T , 10N60G-TF3-T , 10N60L-TF1-T .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet