STT02N20 Todos los transistores

 

STT02N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT02N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.53 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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STT02N20 datasheet

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STT02N20

Green Product STT02N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 1.22 @ VGS=10V Surface Mount Package. 200V 1.4A 1.29 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES SOT - 223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

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STT02N20

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