STT02N20 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги STT02N20. Основные параметры


   Наименование производителя: STT02N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.53 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT02N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT02N20 даташит

 ..1. Size:134K  samhop
 stt02n20.pdf pdf_icon

STT02N20

Green Product STT02N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 1.22 @ VGS=10V Surface Mount Package. 200V 1.4A 1.29 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES SOT - 223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 8.1. Size:134K  samhop
 stt02n10.pdf pdf_icon

STT02N20

Другие MOSFET... FDD6N25 , FDD6N50 , FDD6N50F , FDD6N50TMF085 , FDD7N20TM , STT03L03 , FDD7N25LZ , FDD8424H , 8205A , FDD8424HF085 , STT02N10 , FDD8444 , FDD8444F085 , FDD8444LF085 , FDD8445 , FDD8445F085 , FDD8447L .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.