STT02N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STT02N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.53 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STT02N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT02N20 даташит

 ..1. Size:134K  samhop
 stt02n20.pdf pdf_icon

STT02N20

Green Product STT02N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 1.22 @ VGS=10V Surface Mount Package. 200V 1.4A 1.29 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES SOT - 223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 8.1. Size:134K  samhop
 stt02n10.pdf pdf_icon

STT02N20

Другие IGBT... FDD6N25, FDD6N50, FDD6N50F, FDD6N50TMF085, FDD7N20TM, STT03L03, FDD7N25LZ, FDD8424H, IRF9540, FDD8424HF085, STT02N10, FDD8444, FDD8444F085, FDD8444LF085, FDD8445, FDD8445F085, FDD8447L