Справочник MOSFET. STT02N20

 

STT02N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT02N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.4 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.53 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT02N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT02N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  samhop
 stt02n20.pdf pdf_icon

STT02N20

GreenProductSTT02N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.1.22 @ VGS=10VSurface Mount Package.200V 1.4A1.29 @ VGS=4.5VD G GSSTT SERIES SOT - 223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 8.1. Size:134K  samhop
 stt02n10.pdf pdf_icon

STT02N20

GreenProductSTT02N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.400 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 2A480 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

Другие MOSFET... FDD6N25 , FDD6N50 , FDD6N50F , FDD6N50TMF085 , FDD7N20TM , STT03L03 , FDD7N25LZ , FDD8424H , 2SK3878 , FDD8424HF085 , STT02N10 , FDD8444 , FDD8444F085 , FDD8444LF085 , FDD8445 , FDD8445F085 , FDD8447L .

History: FDS2572 | FDD6N50TMF085 | FMH47N60S1

 

 
Back to Top

 


 
.