STT01N20 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT01N20  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: SOT223

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de STT01N20 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STT01N20 datasheet

 9.1. Size:126K  samhop
 stt01l10.pdf pdf_icon

STT01N20

Green Product STT01L10 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 310 @ VGS=10V Surface Mount Package. 100V 1.5A 350 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

 9.2. Size:133K  samhop
 stt01l07.pdf pdf_icon

STT01N20

Green Product STT01L07 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 526 @ VGS=10V Surface Mount Package. 70V 1.5A 617 @ VGS=4.5V ESD Protected. D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM

Otros transistores... FDD8447L, FDD8447LF085, FDD8451, FDD8453LZ, FDD8453LZF085, FDD850N10L, STT02N07, FDD86102, IRFP260, FDD86102LZ, STT01L10, FDD86250, FDD86326, FDD8647L, FDD8770, FDD8778, FDD8780