Справочник MOSFET. STT01N20

 

STT01N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT01N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT01N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT01N20 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:126K  samhop
 stt01l10.pdf pdf_icon

STT01N20

GreenProductSTT01L10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.310 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 1.5A350 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

 9.2. Size:133K  samhop
 stt01l07.pdf pdf_icon

STT01N20

GreenProductSTT01L07aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.526 @ VGS=10VSurface Mount Package.70V 1.5A617 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQPF8N60C | 2N6914A

 

 
Back to Top

 


 
.