Справочник MOSFET. STT01N20

 

STT01N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT01N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STT01N20 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:126K  samhop
 stt01l10.pdf pdf_icon

STT01N20

GreenProductSTT01L10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.310 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 1.5A350 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

 9.2. Size:133K  samhop
 stt01l07.pdf pdf_icon

STT01N20

GreenProductSTT01L07aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.526 @ VGS=10VSurface Mount Package.70V 1.5A617 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... FDD8447L , FDD8447LF085 , FDD8451 , FDD8453LZ , FDD8453LZF085 , FDD850N10L , STT02N07 , FDD86102 , IRFP450 , FDD86102LZ , STT01L10 , FDD86250 , FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 , FDD8778 , FDD8780 .

History: STP90NF03L | HY3210PM

 

 
Back to Top

 


 
.