STT01N20 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги STT01N20. Основные параметры


   Наименование производителя: STT01N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT01N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT01N20 даташит

 9.1. Size:126K  samhop
 stt01l10.pdf pdf_icon

STT01N20

Green Product STT01L10 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 310 @ VGS=10V Surface Mount Package. 100V 1.5A 350 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

 9.2. Size:133K  samhop
 stt01l07.pdf pdf_icon

STT01N20

Green Product STT01L07 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 526 @ VGS=10V Surface Mount Package. 70V 1.5A 617 @ VGS=4.5V ESD Protected. D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... FDD8447L , FDD8447LF085 , FDD8451 , FDD8453LZ , FDD8453LZF085 , FDD850N10L , STT02N07 , FDD86102 , SPP20N60C3 , FDD86102LZ , STT01L10 , FDD86250 , FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 , FDD8778 , FDD8780 .

History: FDD86250 | FDD8453LZ

 

 

 


 
↑ Back to Top
.