STT01L10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STT01L10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STT01L10

STT01L10 Datasheet (PDF)

..1. Size:126K samhop
stt01l10.pdf

GreenProductSTT01L10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.310 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 1.5A350 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

8.1. Size:133K samhop
stt01l07.pdf

GreenProductSTT01L07aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.526 @ VGS=10VSurface Mount Package.70V 1.5A617 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM

Otros transistores... FDD8451 , FDD8453LZ , FDD8453LZF085 , FDD850N10L , STT02N07 , FDD86102 , STT01N20 , FDD86102LZ , RFP50N06 , FDD86250 , FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 , FDD8778 , FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: