STT01L10 - описание и поиск аналогов

 

STT01L10 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STT01L10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT01L10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT01L10 технические параметры

 ..1. Size:126K  samhop
 stt01l10.pdf pdf_icon

STT01L10

Green Product STT01L10 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 310 @ VGS=10V Surface Mount Package. 100V 1.5A 350 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

 8.1. Size:133K  samhop
 stt01l07.pdf pdf_icon

STT01L10

Green Product STT01L07 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 526 @ VGS=10V Surface Mount Package. 70V 1.5A 617 @ VGS=4.5V ESD Protected. D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... FDD8451 , FDD8453LZ , FDD8453LZF085 , FDD850N10L , STT02N07 , FDD86102 , STT01N20 , FDD86102LZ , K4145 , FDD86250 , FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 , FDD8778 , FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 .

History: FDD8780

 

 
Back to Top

 


 
.