STT01L10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STT01L10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
Тип корпуса: SOT223
STT01L10 Datasheet (PDF)
stt01l10.pdf

GreenProductSTT01L10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.310 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 1.5A350 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2
stt01l07.pdf

GreenProductSTT01L07aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.526 @ VGS=10VSurface Mount Package.70V 1.5A617 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM
Другие MOSFET... FDD8451 , FDD8453LZ , FDD8453LZF085 , FDD850N10L , STT02N07 , FDD86102 , STT01N20 , FDD86102LZ , IRFB3607 , FDD86250 , FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 , FDD8778 , FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 .
History: WMP08N70C4 | SIHH14N60E
History: WMP08N70C4 | SIHH14N60E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0613APD | JMSL0612PU | JMSL0612PPD | JMSL0612PP | JMSL0612PK | JMSL0612PGQ | JMSL0612PG | JMSL0612AUQ | JMSL0612AU | JMSL0612AKQ | JMSL0612AK | JMSL0612AGQ | JMSL0612AG | JMSL06120UQ | JMSL0611PUD | JMSL0611PU
Popular searches
mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726