STT01L10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STT01L10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STT01L10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT01L10 даташит

 ..1. Size:126K  samhop
 stt01l10.pdf pdf_icon

STT01L10

Green Product STT01L10 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 310 @ VGS=10V Surface Mount Package. 100V 1.5A 350 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

 8.1. Size:133K  samhop
 stt01l07.pdf pdf_icon

STT01L10

Green Product STT01L07 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 526 @ VGS=10V Surface Mount Package. 70V 1.5A 617 @ VGS=4.5V ESD Protected. D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM

Другие IGBT... FDD8451, FDD8453LZ, FDD8453LZF085, FDD850N10L, STT02N07, FDD86102, STT01N20, FDD86102LZ, P55NF06, FDD86250, FDD86326, FDD8647L, FDD8770, FDD8778, FDD8780, FDD8782, FDD8796