2P50G-TN3-R Todos los transistores

 

2P50G-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2P50G-TN3-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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2P50G-TN3-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  utc
 2p50l-aa3-r 2p50g-aa3-r 2p50l-tn3-r 2p50g-tn3-r.pdf pdf_icon

2P50G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2P50 POWER MOSFET -2A, -500V P-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252The UTC 2P50 is a P-channel MOS Field Effect Transistor. it uses UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. The UTC 2P50 is suitable for high voltage switching applications. 1 FEATURES SOT-

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History: 14N50L-TF3-T | 2N65KG-TMS2-T | SGSP201 | BRB10N65 | FDS6162N7 | BRCS060N15SHRA

 

 
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