Справочник MOSFET. 2P50G-TN3-R

 

2P50G-TN3-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P50G-TN3-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для 2P50G-TN3-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P50G-TN3-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  utc
 2p50l-aa3-r 2p50g-aa3-r 2p50l-tn3-r 2p50g-tn3-r.pdf pdf_icon

2P50G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2P50 POWER MOSFET -2A, -500V P-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252The UTC 2P50 is a P-channel MOS Field Effect Transistor. it uses UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. The UTC 2P50 is suitable for high voltage switching applications. 1 FEATURES SOT-

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.