STT01L07 Todos los transistores

 

STT01L07 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT01L07
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.6 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.526 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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STT01L07 Datasheet (PDF)

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STT01L07

GreenProductSTT01L07aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.526 @ VGS=10VSurface Mount Package.70V 1.5A617 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM

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STT01L07

GreenProductSTT01L10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.310 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 1.5A350 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

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