STT01L07 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги STT01L07. Основные параметры


   Наименование производителя: STT01L07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.526 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT01L07

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT01L07 даташит

 ..1. Size:133K  samhop
 stt01l07.pdf pdf_icon

STT01L07

Green Product STT01L07 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 526 @ VGS=10V Surface Mount Package. 70V 1.5A 617 @ VGS=4.5V ESD Protected. D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM

 8.1. Size:126K  samhop
 stt01l10.pdf pdf_icon

STT01L07

Green Product STT01L10 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 310 @ VGS=10V Surface Mount Package. 100V 1.5A 350 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

Другие MOSFET... FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 , FDD8778 , FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 , FDD8870 , NCEP15T14 , FDD8870F085 , STS8816 , FDD8874 , STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 .

History: FDD2572

 

 

 


 
↑ Back to Top
.