Справочник MOSFET. STT01L07

 

STT01L07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT01L07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.6 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.526 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STT01L07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  samhop
 stt01l07.pdf pdf_icon

STT01L07

GreenProductSTT01L07aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.526 @ VGS=10VSurface Mount Package.70V 1.5A617 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIM

 8.1. Size:126K  samhop
 stt01l10.pdf pdf_icon

STT01L07

GreenProductSTT01L10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.310 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 1.5A350 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

Другие MOSFET... FDD86326 , FDD8647L , FDD8770 , FDD8778 , FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 , FDD8870 , STP80NF70 , FDD8870F085 , STS8816 , FDD8874 , STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 .

History: HY3410P | FQB27P06

 

 
Back to Top

 


 
.