STS8816 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS8816
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOT26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS8816

STS8816 Datasheet (PDF)

..1. Size:115K samhop
sts8816.pdf

GreenProductSTS8816aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.17.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.18.5 @ VGS=4.0VESD HBM > 2KV.20V 7A 19.0 @ VGS=3.7V22.0 @ VGS=3.1V27.5 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26T

9.1. Size:177K globaltech semi
gsts882.pdf

GSTS882 NPN Plastic-Encapsulate Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 30V amplifier and switch. Collector Current : 3.0A Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments TO-92 Pin Description1 Emitter 2 Collector 3 Base Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS882F TO-92 (R) / (O) / (

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: