STS8816 Todos los transistores

 

STS8816 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS8816
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOT26
 

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STS8816 datasheet

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STS8816

Green Product STS8816 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 3.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 17.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 18.5 @ VGS=4.0V ESD HBM > 2KV. 20V 7A 19.0 @ VGS=3.7V 22.0 @ VGS=3.1V 27.5 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26 T

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STS8816

GSTS882 NPN Plastic-Encapsulate Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage 30V amplifier and switch. Collector Current 3.0A Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments TO-92 Pin Description 1 Emitter 2 Collector 3 Base Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS882F TO-92 (R) / (O) / (

Otros transistores... FDD8770 , FDD8778 , FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 , FDD8870 , STT01L07 , FDD8870F085 , STP80NF70 , FDD8874 , STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 .

 

 

 


 
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