STS8816 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги STS8816. Основные параметры


   Наименование производителя: STS8816
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26
 

 Аналог (замена) для STS8816

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS8816 даташит

 ..1. Size:115K  samhop
 sts8816.pdf pdf_icon

STS8816

Green Product STS8816 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 3.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 17.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 18.5 @ VGS=4.0V ESD HBM > 2KV. 20V 7A 19.0 @ VGS=3.7V 22.0 @ VGS=3.1V 27.5 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26 T

 9.1. Size:177K  globaltech semi
 gsts882.pdf pdf_icon

STS8816

GSTS882 NPN Plastic-Encapsulate Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage 30V amplifier and switch. Collector Current 3.0A Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments TO-92 Pin Description 1 Emitter 2 Collector 3 Base Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS882F TO-92 (R) / (O) / (

Другие MOSFET... FDD8770 , FDD8778 , FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 , FDD8870 , STT01L07 , FDD8870F085 , STP80NF70 , FDD8874 , STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.