STS6N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS6N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1 nC
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de STS6N20 MOSFET
STS6N20 Datasheet (PDF)
sts6n20.pdf
GrPPrPPSTS6N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.1.05 @ VGS=10VSurface Mount Package.0.8A60V1.30 @ VGS=4.5VDSOT23DGSGS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAX
sts6nf20v.pdf
STS6NF20VN-channel 20 V, 0.030 , 6 A SO-82.7 V drive STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID
Otros transistores... FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 , FDD8870 , STT01L07 , FDD8870F085 , STS8816 , FDD8874 , IRFZ24N , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 .
History: C2T206 | FQB1P50
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
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