STS6N20 Todos los transistores

 

STS6N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS6N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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STS6N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  samhop
 sts6n20.pdf pdf_icon

STS6N20

GrPPrPPSTS6N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.1.05 @ VGS=10VSurface Mount Package.0.8A60V1.30 @ VGS=4.5VDSOT23DGSGS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:530K  st
 sts6nf20v.pdf pdf_icon

STS6N20

STS6NF20VN-channel 20 V, 0.030 , 6 A SO-82.7 V drive STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID

Otros transistores... FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 , FDD8870 , STT01L07 , FDD8870F085 , STS8816 , FDD8874 , 13N50 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 .

History: FDP085N10A | FDD8782 | FQU2N60C | FDD8796 | LNDN12N65 | LND5N65B

 

 
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