STS6N20 Todos los transistores

 

STS6N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS6N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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STS6N20 datasheet

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STS6N20

Gr P Pr P P STS6N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 1.05 @ VGS=10V Surface Mount Package. 0.8A 60V 1.30 @ VGS=4.5V D SOT23 D G S G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:530K  st
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STS6N20

STS6NF20V N-channel 20 V, 0.030 , 6 A SO-8 2.7 V drive STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID

Otros transistores... FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 , FDD8870 , STT01L07 , FDD8870F085 , STS8816 , FDD8874 , TK10A60D , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 .

History: FDD8876

 

 

 


 
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