STS6N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STS6N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STS6N20 Datasheet (PDF)
sts6n20.pdf
GrPPrPPSTS6N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.1.05 @ VGS=10VSurface Mount Package.0.8A60V1.30 @ VGS=4.5VDSOT23DGSGS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAX
sts6nf20v.pdf
STS6NF20VN-channel 20 V, 0.030 , 6 A SO-82.7 V drive STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID
Другие MOSFET... FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 , FDD8870 , STT01L07 , FDD8870F085 , STS8816 , FDD8874 , 4435 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 .
History: HY1607PM | STS13N3LLH5 | STS65R190FS2 | STRH12P10 | STS3420 | HY1707PM | STS65R190L8AS2TR
History: HY1607PM | STS13N3LLH5 | STS65R190FS2 | STRH12P10 | STS3420 | HY1707PM | STS65R190L8AS2TR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384