STS6N20 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги STS6N20. Основные параметры


   Наименование производителя: STS6N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для STS6N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6N20 даташит

 ..1. Size:90K  samhop
 sts6n20.pdf pdf_icon

STS6N20

Gr P Pr P P STS6N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 1.05 @ VGS=10V Surface Mount Package. 0.8A 60V 1.30 @ VGS=4.5V D SOT23 D G S G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:530K  st
 sts6nf20v.pdf pdf_icon

STS6N20

STS6NF20V N-channel 20 V, 0.030 , 6 A SO-8 2.7 V drive STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID

Другие MOSFET... FDD8780 , FDD8782 , FDD8796 , FDD8870 , STT01L07 , FDD8870F085 , STS8816 , FDD8874 , TK10A60D , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 .

History: STS8816

 

 

 


 
↑ Back to Top
.