STS6N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS6N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STS6N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6N20 даташит

 ..1. Size:90K  samhop
 sts6n20.pdf pdf_icon

STS6N20

Gr P Pr P P STS6N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 1.05 @ VGS=10V Surface Mount Package. 0.8A 60V 1.30 @ VGS=4.5V D SOT23 D G S G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:530K  st
 sts6nf20v.pdf pdf_icon

STS6N20

STS6NF20V N-channel 20 V, 0.030 , 6 A SO-8 2.7 V drive STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID

Другие IGBT... FDD8780, FDD8782, FDD8796, FDD8870, STT01L07, FDD8870F085, STS8816, FDD8874, STP80NF70, FDD8876, STS6604L, FDD8878, STS6601, FDD8880, STS6415, FDD8882, STS6409