STS6601 Todos los transistores

 

STS6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS6601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

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STS6601 Datasheet (PDF)

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STS6601

GreenProductSTS6601aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.110 @ VGS=-10VSOT-26 package.-60V -3.2A160 @ VGS=-4.5VDS OT26Top ViewDD61GD 2 5 D3 4G SS(TA=25C unless otherwise noted

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STS6601

GreenProductSTS6604LaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(ON) (m) Max VDSS ID RDS(ON) (m) Max60 @ VGS=4.5V 138 @ VGS=-4.5V20 4A -20V -2.5A75 @ VGS=2.5V 190 @ VGS=-2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S22 5 S134G

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History: AP04N60I-HF | IXFH70N30Q3 | FDD8778 | FQD4N20 | STS6N20

 

 
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