Справочник MOSFET. STS6601

 

STS6601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  samhop
 sts6601.pdf pdf_icon

STS6601

GreenProductSTS6601aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.110 @ VGS=-10VSOT-26 package.-60V -3.2A160 @ VGS=-4.5VDS OT26Top ViewDD61GD 2 5 D3 4G SS(TA=25C unless otherwise noted

 8.1. Size:239K  samhop
 sts6604l.pdf pdf_icon

STS6601

GreenProductSTS6604LaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(ON) (m) Max VDSS ID RDS(ON) (m) Max60 @ VGS=4.5V 138 @ VGS=-4.5V20 4A -20V -2.5A75 @ VGS=2.5V 190 @ VGS=-2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S22 5 S134G

Другие MOSFET... STT01L07 , FDD8870F085 , STS8816 , FDD8874 , STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , IRF2807 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , STS4622 .

 

 
Back to Top

 


 
.