STS6601 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги STS6601. Основные параметры


   Наименование производителя: STS6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для STS6601

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6601 даташит

 ..1. Size:183K  samhop
 sts6601.pdf pdf_icon

STS6601

Green Product STS6601 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 110 @ VGS=-10V SOT-26 package. -60V -3.2A 160 @ VGS=-4.5V D S OT26 Top View D D 6 1 G D 2 5 D 3 4 G S S (TA=25 C unless otherwise noted

 8.1. Size:239K  samhop
 sts6604l.pdf pdf_icon

STS6601

Green Product STS6604L a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (m ) Max VDSS ID RDS(ON) (m ) Max 60 @ VGS=4.5V 138 @ VGS=-4.5V 20 4A -20V -2.5A 75 @ VGS=2.5V 190 @ VGS=-2.5V D1 D2 SOT 26 Top View G1 D1 6 1 G 1 G 2 S2 2 5 S1 3 4 G

Другие MOSFET... STT01L07 , FDD8870F085 , STS8816 , FDD8874 , STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , IRFP250 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , STS4622 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.