STS6308 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS6308
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.083 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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STS6308 Datasheet (PDF)

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sts6308.pdf

GreenProductSTS6308aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.83 @ VGS= 10VSuface Mount Package.60V 3A107 @ VGS= 4.5VDS OT23DGSGS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSy

Otros transistores... STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , 7N60 , FDD8896F085 , STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ , FDG328P , FDG330P .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: