STS6308 - описание и поиск аналогов

 

STS6308. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS6308

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Электрические характеристики

|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для STS6308

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6308 даташит

 ..1. Size:171K  samhop
 sts6308.pdf pdf_icon

STS6308

Green Product STS6308 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 83 @ VGS= 10V Suface Mount Package. 60V 3A 107 @ VGS= 4.5V D S OT23 D G S G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Sy

Другие MOSFET... STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , SI2302 , FDD8896F085 , STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ , FDG328P , FDG330P .

History: CED83A3G

 

 

 


 
↑ Back to Top
.