STS6308 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS6308  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STS6308

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6308 даташит

 ..1. Size:171K  samhop
 sts6308.pdf pdf_icon

STS6308

Green Product STS6308 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 83 @ VGS= 10V Suface Mount Package. 60V 3A 107 @ VGS= 4.5V D S OT23 D G S G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Sy

Другие IGBT... STS6604L, FDD8878, STS6601, FDD8880, STS6415, FDD8882, STS6409, FDD8896, STF13NM60N, FDD8896F085, STS4622, FDD8N50NZ, FDG1024NZ, FDG327N, FDG327NZ, FDG328P, FDG330P