Справочник MOSFET. STS6308

 

STS6308 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS6308
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для STS6308

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6308 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  samhop
 sts6308.pdf pdf_icon

STS6308

GreenProductSTS6308aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.83 @ VGS= 10VSuface Mount Package.60V 3A107 @ VGS= 4.5VDS OT23DGSGS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSy

Другие MOSFET... STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , IRFZ46N , FDD8896F085 , STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ , FDG328P , FDG330P .

 

 
Back to Top

 


 
.