STS4622 Todos los transistores

 

STS4622 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS4622
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

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STS4622 datasheet

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STS4622

S TS 4622 S amHop Microelectronics C orp. J un, 06 2006 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 65 @ VG S = 10V 40V 3A S OT-26 package. 85 @ VG S =4.5V D2 D1 S OT26 Top View G1 D1 6 1 S 2 2 5 S 1 G2 3 4 G2 D2 G1 S 2 S 1

Otros transistores... STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , 18N50 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ , FDG328P , FDG330P , FDG332PZ , FDG410NZ .

History: FDD120AN15A0 | FDD8896

 

 

 


 
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