STS4622 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS4622
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT26
Búsqueda de reemplazo de STS4622 MOSFET
STS4622 Datasheet (PDF)
sts4622.pdf

S TS 4622S amHop Microelectronics C orp.J un, 06 2006Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.65 @ VG S = 10V40V 3AS OT-26 package.85 @ VG S =4.5VD2D1S OT26Top ViewG1 D161S 2 2 5 S 1G234G2 D2 G1S 2S 1
Otros transistores... STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , RU6888R , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ , FDG328P , FDG330P , FDG332PZ , FDG410NZ .
History: IXFB150N65X2 | FDD8896F085 | FDG328P | STS6308 | IRFD224 | IXFA8N50P3
History: IXFB150N65X2 | FDD8896F085 | FDG328P | STS6308 | IRFD224 | IXFA8N50P3



Liste
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MOSFET: APG130N06NF | APG130N06D | APG120N12NF | APG120N10NF | APG110N10NF | APG100N10D | AP9P20D | AP9N20Y | AP9N20P | AP9N20D | AP9928A | AP9926A | AP9435A | AP90P03NF | AP90P01D | AP90N06F
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