STS4622 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS4622  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT26

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STS4622

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4622 даташит

 ..1. Size:156K  samhop
 sts4622.pdf pdf_icon

STS4622

S TS 4622 S amHop Microelectronics C orp. J un, 06 2006 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 65 @ VG S = 10V 40V 3A S OT-26 package. 85 @ VG S =4.5V D2 D1 S OT26 Top View G1 D1 6 1 S 2 2 5 S 1 G2 3 4 G2 D2 G1 S 2 S 1

Другие IGBT... STS6601, FDD8880, STS6415, FDD8882, STS6409, FDD8896, STS6308, FDD8896F085, STP65NF06, FDD8N50NZ, FDG1024NZ, FDG327N, FDG327NZ, FDG328P, FDG330P, FDG332PZ, FDG410NZ