FDG1024NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDG1024NZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.8 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70

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FDG1024NZ Datasheet (PDF)

..1. Size:294K fairchild semi
fdg1024nz.pdf

June 2010FDG1024NZDual N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 1.2 A, 175 mFeatures General Description Max rDS(on) = 175 m at VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A This dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell Max rDS(on) = 215 m at VGS = 2.5 V, ID = 1.0 Adensity, DMOS technology. This very high densi

..2. Size:802K cn vbsemi
fdg1024nz.pdf

FDG1024NZwww.VBsemi.twDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.086 at VGS = 4.5 V 2.6a 100 % Rg Tested20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.5a 5.0 nC Typical ESD Protection 2100 V HBMa0.180 at VGS = 1.8 V 2.3 Compliant to RoHS Directiv

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Liste

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