FDG1024NZ - описание и поиск аналогов

 

FDG1024NZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDG1024NZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: SC70

Аналог (замена) для FDG1024NZ

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDG1024NZ даташит

 ..1. Size:294K  fairchild semi
 fdg1024nz.pdf pdf_icon

FDG1024NZ

June 2010 FDG1024NZ Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 1.2 A, 175 m Features General Description Max rDS(on) = 175 m at VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A This dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, high cell Max rDS(on) = 215 m at VGS = 2.5 V, ID = 1.0 A density, DMOS technology. This very high densi

 ..2. Size:802K  cn vbsemi
 fdg1024nz.pdf pdf_icon

FDG1024NZ

FDG1024NZ www.VBsemi.tw Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.086 at VGS = 4.5 V 2.6a 100 % Rg Tested 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.5a 5.0 nC Typical ESD Protection 2100 V HBM a 0.180 at VGS = 1.8 V 2.3 Compliant to RoHS Directiv

Другие MOSFET... STS6415 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , STS4622 , FDD8N50NZ , IRF520 , FDG327N , FDG327NZ , FDG328P , FDG330P , FDG332PZ , FDG410NZ , FDG6301NF085 , FDG6306P .

History: FDC86244

 

 

 


 
↑ Back to Top
.