6N80G-TF1-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 6N80G-TF1-T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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6N80G-TF1-T datasheet

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 6n80l-ta3-t 6n80g-ta3-t 6n80l-tf3-t 6n80g-tf3-t 6n80l-tf1-t 6n80g-tf1-t 6n80l-t2q-t 6n80g-t2q-t.pdf pdf_icon

6N80G-TF1-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 6N80 Power MOSFET 6.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 TO-220 DESCRIPTION The UTC 6N80 is a N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe 1 TO-220F and DMOS technology. This technology specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can

 9.1. Size:478K  silikron
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6N80G-TF1-T

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