6N80G-TF1-T - аналоги и даташиты транзистора

 

6N80G-TF1-T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 6N80G-TF1-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для 6N80G-TF1-T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

6N80G-TF1-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  utc
 6n80l-ta3-t 6n80g-ta3-t 6n80l-tf3-t 6n80g-tf3-t 6n80l-tf1-t 6n80g-tf1-t 6n80l-t2q-t 6n80g-t2q-t.pdf pdf_icon

6N80G-TF1-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 6N80 Power MOSFET 6.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-220 DESCRIPTION The UTC 6N80 is a N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe 1TO-220Fand DMOS technology. This technology specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. Italso can

 9.1. Size:478K  silikron
 ssf6n80g.pdf pdf_icon

6N80G-TF1-T

SSF6N80G Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 2.35 (typ.) ID 5.5A Marking and p in TO-251 (IPAK) Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

Другие MOSFET... 6N70KG-TN3-R , 6N70KL-TND-R , 6N70KG-TND-R , 6N80L-TA3-T , 6N80G-TA3-T , 6N80L-TF3-T , 6N80G-TF3-T , 6N80L-TF1-T , K3569 , 6N80L-T2Q-T , 6N80G-T2Q-T , 75N75L-TA3-T , 75N75G-TA3-T , 75N75L-TF1-T , 75N75G-TF1-T , 75N75L-TF2-T , 75N75G-TF2-T .

History: 75N75G-TA3-T | 6N80L-TF1-T | SDF350 | 6N80L-T2Q-T | SSM6K22FE | SVS11N65S

 

 
Back to Top

 


 
.