STS4300 Todos los transistores

 

STS4300 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS4300
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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STS4300 datasheet

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STS4300

Green Product S TS 4300 S amHop Microelectronics C orp. AP R .25 2006 N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 62 @ VG S = 10V 40V 3.5A S OT-23 package. 80 @ VG S =4.5V D S OT-23 G S ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless othe

Otros transistores... FDG6308P , FDG6316P , FDG6317NZ , FDG6318P , FDG6318PZ , FDG6320C , STS4501 , FDG6321C , IRF9640 , FDG6322C , STS400 , FDG6332C , STS3623 , FDG6332CF085 , STS3621 , FDG6335N , FDG8842CZ .

History: FDG6318PZ

 

 

 


 
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