STS4300 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS4300  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm

Encapsulados: SOT23

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STS4300 datasheet

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STS4300

Green Product S TS 4300 S amHop Microelectronics C orp. AP R .25 2006 N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 62 @ VG S = 10V 40V 3.5A S OT-23 package. 80 @ VG S =4.5V D S OT-23 G S ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless othe

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