Справочник MOSFET. STS4300

 

STS4300 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS4300
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  samhop
 sts4300.pdf pdf_icon

STS4300

GreenProductS TS 4300S amHop Microelectronics C orp.AP R .25 2006N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.62 @ VG S = 10V40V 3.5AS OT-23 package.80 @ VG S =4.5VDS OT-23GSABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless othe

Другие MOSFET... FDG6308P , FDG6316P , FDG6317NZ , FDG6318P , FDG6318PZ , FDG6320C , STS4501 , FDG6321C , IRLZ44N , FDG6322C , STS400 , FDG6332C , STS3623 , FDG6332CF085 , STS3621 , FDG6335N , FDG8842CZ .

History: FQA62N25C | STP9N30 | STSJ50NH3LL | STP9N65M2 | FQB22P10TMF085

 

 
Back to Top

 


 
.