STS4300 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS4300  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STS4300

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4300 даташит

 ..1. Size:146K  samhop
 sts4300.pdf pdf_icon

STS4300

Green Product S TS 4300 S amHop Microelectronics C orp. AP R .25 2006 N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 62 @ VG S = 10V 40V 3.5A S OT-23 package. 80 @ VG S =4.5V D S OT-23 G S ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless othe

Другие IGBT... FDG6308P, FDG6316P, FDG6317NZ, FDG6318P, FDG6318PZ, FDG6320C, STS4501, FDG6321C, 8N60, FDG6322C, STS400, FDG6332C, STS3623, FDG6332CF085, STS3621, FDG6335N, FDG8842CZ