STS400 Todos los transistores

 

STS400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS400
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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STS400 Datasheet (PDF)

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STS400

GrerrPPrPrProSTS400aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.350 @ VGS=10VSuface Mount Package.40V 1.2A500 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGSGSOT-23S(TA=25C unless otherwise noted)A

Otros transistores... FDG6317NZ , FDG6318P , FDG6318PZ , FDG6320C , STS4501 , FDG6321C , STS4300 , FDG6322C , HY1906P , FDG6332C , STS3623 , FDG6332CF085 , STS3621 , FDG6335N , FDG8842CZ , STS3620 , STS3429 .

History: IRFD024

 

 
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