STS400 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS400  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 17.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STS400

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS400 даташит

 ..1. Size:92K  samhop
 sts400.pdf pdf_icon

STS400

Gre r r P Pr Pr Pro STS400 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 350 @ VGS=10V Suface Mount Package. 40V 1.2A 500 @ VGS=4.5V ESD Protected. D D G S G SOT-23 S (TA=25 C unless otherwise noted) A

Другие IGBT... FDG6317NZ, FDG6318P, FDG6318PZ, FDG6320C, STS4501, FDG6321C, STS4300, FDG6322C, IRF520, FDG6332C, STS3623, FDG6332CF085, STS3621, FDG6335N, FDG8842CZ, STS3620, STS3429