Справочник MOSFET. STS400

 

STS400 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS400
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для STS400

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS400 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  samhop
 sts400.pdf pdf_icon

STS400

GrerrPPrPrProSTS400aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.350 @ VGS=10VSuface Mount Package.40V 1.2A500 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGSGSOT-23S(TA=25C unless otherwise noted)A

Другие MOSFET... FDG6317NZ , FDG6318P , FDG6318PZ , FDG6320C , STS4501 , FDG6321C , STS4300 , FDG6322C , EMB04N03H , FDG6332C , STS3623 , FDG6332CF085 , STS3621 , FDG6335N , FDG8842CZ , STS3620 , STS3429 .

 

 
Back to Top

 


 
.