7N70G-TF1-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 7N70G-TF1-T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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7N70G-TF1-T datasheet

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7N70G-TF1-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N70-M Preliminary Power MOSFET 7A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N70-M is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switch

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