7N70G-TF1-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 7N70G-TF1-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 7N70G-TF1-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7N70G-TF1-T даташит

 ..1. Size:208K  utc
 7n70l-tf1-t 7n70g-tf1-t.pdf pdf_icon

7N70G-TF1-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N70-M Preliminary Power MOSFET 7A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N70-M is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switch

Другие IGBT... 7N65G-TF2-T, 7N65L-TF3T-T, 7N65G-TF3T-T, 7N65L-TM3-T, 7N65L-TN3-R, 7N65G-TN3-R, 7N65G-TM3-T, 7N70L-TF1-T, IRFP460, 7N80L-TF2-T, 7N80G-TF2-T, 7N80L-TF3T-T, 7N80G-TF3T-T, 7NM65G-TM3-T, 7NM65L-TMS2-T, 7NM65G-TMS2-T, 7NM65L-TN3-R