FDH038AN08A1 Todos los transistores

 

FDH038AN08A1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDH038AN08A1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247 TO3P TO3PF
 

 Búsqueda de reemplazo de FDH038AN08A1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDH038AN08A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  fairchild semi
 fdh038an08a1.pdf pdf_icon

FDH038AN08A1

February 2003FDH038AN08A1N-Channel PowerTrench MOSFET75V, 80A, 3.8mFeatures Applications rDS(ON) = 3.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 125nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Internal Gate Resistor, Rg = 20 (Typ.) Electronic Power Steering Systems Low Miller Charge Electronic Valve Train Syste

 ..2. Size:301K  inchange semiconductor
 fdh038an08a1.pdf pdf_icon

FDH038AN08A1

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH038AN08A1FEATURESDrain Current I = 22A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.8(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

Otros transistores... FDG6332CF085 , STS3621 , FDG6335N , FDG8842CZ , STS3620 , STS3429 , STS3426 , FDG8850NZ , IRFZ44N , FDH047AN08A0 , FDH055N15A , FDH3632 , STS3411A , FDH44N50 , FDH45N50FF133 , FDH5500F085 , FDI030N06 .

History: FDB6030BL

 

 
Back to Top

 


 
.