FDH038AN08A1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDH038AN08A1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDH038AN08A1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH038AN08A1 даташит

 ..1. Size:214K  fairchild semi
 fdh038an08a1.pdf pdf_icon

FDH038AN08A1

February 2003 FDH038AN08A1 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 3.8m Features Applications rDS(ON) = 3.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 125nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Internal Gate Resistor, Rg = 20 (Typ.) Electronic Power Steering Systems Low Miller Charge Electronic Valve Train Syste

 ..2. Size:301K  inchange semiconductor
 fdh038an08a1.pdf pdf_icon

FDH038AN08A1

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH038AN08A1 FEATURES Drain Current I = 22A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.8 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

Другие IGBT... FDG6332CF085, STS3621, FDG6335N, FDG8842CZ, STS3620, STS3429, STS3426, FDG8850NZ, IRF3205, FDH047AN08A0, FDH055N15A, FDH3632, STS3411A, FDH44N50, FDH45N50FF133, FDH5500F085, FDI030N06