Справочник MOSFET. FDH038AN08A1

 

FDH038AN08A1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDH038AN08A1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF
 

 Аналог (замена) для FDH038AN08A1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH038AN08A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  fairchild semi
 fdh038an08a1.pdf pdf_icon

FDH038AN08A1

February 2003FDH038AN08A1N-Channel PowerTrench MOSFET75V, 80A, 3.8mFeatures Applications rDS(ON) = 3.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 125nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Internal Gate Resistor, Rg = 20 (Typ.) Electronic Power Steering Systems Low Miller Charge Electronic Valve Train Syste

 ..2. Size:301K  inchange semiconductor
 fdh038an08a1.pdf pdf_icon

FDH038AN08A1

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH038AN08A1FEATURESDrain Current I = 22A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.8(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HAT2049T

 

 
Back to Top

 


 
.