FDH038AN08A1 - описание и поиск аналогов

 

FDH038AN08A1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDH038AN08A1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF

Аналог (замена) для FDH038AN08A1

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH038AN08A1 даташит

 ..1. Size:214K  fairchild semi
fdh038an08a1.pdfpdf_icon

FDH038AN08A1

February 2003 FDH038AN08A1 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 3.8m Features Applications rDS(ON) = 3.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 125nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Internal Gate Resistor, Rg = 20 (Typ.) Electronic Power Steering Systems Low Miller Charge Electronic Valve Train Syste

 ..2. Size:301K  inchange semiconductor
fdh038an08a1.pdfpdf_icon

FDH038AN08A1

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH038AN08A1 FEATURES Drain Current I = 22A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.8 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

Другие MOSFET... FDG6332CF085 , STS3621 , FDG6335N , FDG8842CZ , STS3620 , STS3429 , STS3426 , FDG8850NZ , IRFZ44N , FDH047AN08A0 , FDH055N15A , FDH3632 , STS3411A , FDH44N50 , FDH45N50FF133 , FDH5500F085 , FDI030N06 .

History: 2N6661-220M

 

 

 


 
↑ Back to Top
.