FDH055N15A Todos los transistores

 

FDH055N15A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDH055N15A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 118 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 92 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247 TO3P TO3PF
 

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FDH055N15A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:582K  fairchild semi
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FDH055N15A

November 2013FDH055N15AN-Channel PowerTrench MOSFET150 V, 167 A, 5.9 mFeatures Description RDS(on) = 4.8 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 120 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-ductors advanced PowerTrench process that has been tai- Fast Switching Speedlored to minimize the on-state resistance while maintaining Low Gate Chargesuperior

 ..2. Size:435K  onsemi
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FDH055N15A

MOSFET N-Channel,POWERTRENCH150 V, 167 A, 5.9 mWFDH055N15ADescriptionThis N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductorswww.onsemi.comadvanced POWERTRENCH process that has been tai-loredto minimize the on-state resistance while maintaining superiorswitching performance.VDS RDS(ON) MAX ID MAXFeatures150 V 5.9 mW @ 10 V 167 A RDS(on) = 4.8 mW (Typ.) @ V

 ..3. Size:305K  inchange semiconductor
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FDH055N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH055N15AFEATURESDrain Current I = 150A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

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