FDH3632 Todos los transistores

 

FDH3632 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDH3632

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 310 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 84 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247, TO3P, TO3PF

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FDH3632 Datasheet (PDF)

1.1. fdb3632 fdp3632 fdi3632 fdh3632.pdf Size:656K _fairchild_semi

FDH3632
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December 2008 FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632 N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΩ Features Applications • rDS(ON) = 7.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A • DC/DC converters and Off-Line UPS • Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V • Distributed Power Architectures and VRMs • Low Miller Charge • Primary Switch for 24V and 48V Systems • Low QRR Body Diode • Hi

Otros transistores... FDG8842CZ , STS3620 , STS3429 , STS3426 , FDG8850NZ , FDH038AN08A1 , FDH047AN08A0 , FDH055N15A , IRF540 , STS3411A , FDH44N50 , FDH45N50F_F133 , FDH5500_F085 , FDI030N06 , FDI038AN06A0 , FDI040N06 , FDI045N10A_F102 .

 

 
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