FDH3632 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDH3632  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO247 TO3P TO3PF

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FDH3632 datasheet

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FDH3632

December 2008 FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9m Features Applications rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode Hi

 ..2. Size:860K  onsemi
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FDH3632

MOSFET Power, N-Channel, POWERTRENCH) 100 V, 80 A, 9 mW FDH3632, FDP3632, FDB3632 www.onsemi.com Features RDS(ON) = 7.5 mW (Typ.), VGS = 10 V, ID = 80 A Qg (tot) = 84 nC (Typ.), VGS = 10 V VDSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Miller Charge 100 V 9 mW 80 A Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) D These Devices are Pb-Free and are R

 ..3. Size:361K  inchange semiconductor
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FDH3632

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH3632 FEATURES With TO-247 packaging Drain Source Voltage- V 100V DSS Static drain-source on-resistance RDS(on) 9m @V =10V GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Otros transistores... FDG8842CZ, STS3620, STS3429, STS3426, FDG8850NZ, FDH038AN08A1, FDH047AN08A0, FDH055N15A, IRF740, STS3411A, FDH44N50, FDH45N50FF133, FDH5500F085, FDI030N06, FDI038AN06A0, FDI040N06, FDI045N10AF102