Справочник MOSFET. FDH3632

 

FDH3632 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDH3632

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 84 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO247, TO3P, TO3PF

Аналог (замена) для FDH3632

 

 

FDH3632 Datasheet (PDF)

1.1. fdb3632 fdp3632 fdi3632 fdh3632.pdf Size:656K _fairchild_semi

FDH3632
FDH3632

December 2008 FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632 N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΩ Features Applications • rDS(ON) = 7.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A • DC/DC converters and Off-Line UPS • Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V • Distributed Power Architectures and VRMs • Low Miller Charge • Primary Switch for 24V and 48V Systems • Low QRR Body Diode • Hi

Другие MOSFET... FDG8842CZ , STS3620 , STS3429 , STS3426 , FDG8850NZ , FDH038AN08A1 , FDH047AN08A0 , FDH055N15A , IRF540 , STS3411A , FDH44N50 , FDH45N50F_F133 , FDH5500_F085 , FDI030N06 , FDI038AN06A0 , FDI040N06 , FDI045N10A_F102 .

 

 
Back to Top