FDH3632 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDH3632
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF
Аналог (замена) для FDH3632
FDH3632 Datasheet (PDF)
fdb3632 fdp3632 fdi3632 fdh3632.pdf
December 2008FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632N-Channel PowerTrench MOSFET100V, 80A, 9mFeatures Applications rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode Hi
fdh3632 fdp3632 fdb3632.pdf
MOSFET Power, N-Channel,POWERTRENCH)100 V, 80 A, 9 mWFDH3632, FDP3632,FDB3632www.onsemi.comFeatures RDS(ON) = 7.5 mW (Typ.), VGS = 10 V, ID = 80 A Qg (tot) = 84 nC (Typ.), VGS = 10 VVDSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Miller Charge100 V 9 mW 80 A Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)D These Devices are Pb-Free and are R
fdh3632.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDH3632FEATURESWith TO-247 packagingDrain Source Voltage-: V 100VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие MOSFET... FDG8842CZ , STS3620 , STS3429 , STS3426 , FDG8850NZ , FDH038AN08A1 , FDH047AN08A0 , FDH055N15A , IRF840 , STS3411A , FDH44N50 , FDH45N50FF133 , FDH5500F085 , FDI030N06 , FDI038AN06A0 , FDI040N06 , FDI045N10AF102 .
