FDI150N10 Todos los transistores

 

FDI150N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDI150N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262 I2PAK
 

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FDI150N10 Datasheet (PDF)

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FDI150N10

October 2009FDI150N10tmN-Channel PowerTrench MOSFET100V, 57A, 16mFeatures General Description RDS(on) = 12m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 49A This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process that has been Fast switching speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yetmaintain superior switching per

 ..2. Size:665K  onsemi
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FDI150N10

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: APQ03SN60AB | AP16N50P-HF

 

 
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