Справочник MOSFET. FDI150N10

 

FDI150N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDI150N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO262 I2PAK

 Аналог (замена) для FDI150N10

 

 

FDI150N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  fairchild semi
 fdi150n10.pdf

FDI150N10 FDI150N10

October 2009FDI150N10tmN-Channel PowerTrench MOSFET100V, 57A, 16mFeatures General Description RDS(on) = 12m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 49A This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process that has been Fast switching speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yetmaintain superior switching per

 ..2. Size:665K  onsemi
 fdi150n10.pdf

FDI150N10 FDI150N10

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDH44N50 , FDH45N50FF133 , FDH5500F085 , FDI030N06 , FDI038AN06A0 , FDI040N06 , FDI045N10AF102 , STS3409L , 10N60 , STS3409 , FDI3632 , STS3406 , FDI8441 , FDI8441F085 , FDL100N50F , FDM3622 , STS3405 .

History: FDG6318PZ

 

 
Back to Top