FDI150N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDI150N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO262 I2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDI150N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDI150N10 даташит

 ..1. Size:243K  fairchild semi
 fdi150n10.pdf pdf_icon

FDI150N10

October 2009 FDI150N10 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 57A, 16m Features General Description RDS(on) = 12m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 49A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process that has been Fast switching speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching per

 ..2. Size:665K  onsemi
 fdi150n10.pdf pdf_icon

FDI150N10

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FDH44N50, FDH45N50FF133, FDH5500F085, FDI030N06, FDI038AN06A0, FDI040N06, FDI045N10AF102, STS3409L, 2N7002, STS3409, FDI3632, STS3406, FDI8441, FDI8441F085, FDL100N50F, FDM3622, STS3405