FDI3632 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDI3632 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de FDI3632 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
FDI3632 datasheet
fdb3632 fdp3632 fdi3632 fdh3632.pdf
December 2008 FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9m Features Applications rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode Hi
fdi3632.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDI3632 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power su pplies and general purpose
fdi3652.pdf
October 2003 FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16m Features Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Syn
fdb3652 fdp3652 fdi3652.pdf
October 2003 FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16m Features Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Syn
Otros transistores... FDH5500F085, FDI030N06, FDI038AN06A0, FDI040N06, FDI045N10AF102, STS3409L, FDI150N10, STS3409, IRFZ44, STS3406, FDI8441, FDI8441F085, FDL100N50F, FDM3622, STS3405, FDMA0104, FDMA1023PZ
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: FDL100N50F
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
Popular searches
mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526
