FDL100N50F Todos los transistores

 

FDL100N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDL100N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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FDL100N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  fairchild semi
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FDL100N50F

May 2009UniFETTMFDL100N50FN-Channel MOSFET,FRFET 500V, 100A, 0.055Features Description RDS(on) = 0.043 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 50A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 238nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 64pF)This advanced technology has been

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
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FDL100N50F

isc N-Channel MOSFET Transistor FDL100N50FFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Ga

Otros transistores... FDI045N10AF102 , STS3409L , FDI150N10 , STS3409 , FDI3632 , STS3406 , FDI8441 , FDI8441F085 , IRFB4227 , FDM3622 , STS3405 , FDMA0104 , FDMA1023PZ , FDMA1024NZ , FDMA1025P , FDMA1027P , FDMA1027PT .

 

 
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