FDL100N50F Todos los transistores

 

FDL100N50F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDL100N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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FDL100N50F datasheet

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FDL100N50F

May 2009 UniFETTM FDL100N50F N-Channel MOSFET,FRFET 500V, 100A, 0.055 Features Description RDS(on) = 0.043 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 50A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 238nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 64pF) This advanced technology has been

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
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FDL100N50F

isc N-Channel MOSFET Transistor FDL100N50F FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500 V DSS V Ga

Otros transistores... FDI045N10AF102 , STS3409L , FDI150N10 , STS3409 , FDI3632 , STS3406 , FDI8441 , FDI8441F085 , 10N60 , FDM3622 , STS3405 , FDMA0104 , FDMA1023PZ , FDMA1024NZ , FDMA1025P , FDMA1027P , FDMA1027PT .

 

 

 


 
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