Справочник MOSFET. FDL100N50F

 

FDL100N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDL100N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDL100N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  fairchild semi
 fdl100n50f.pdf pdf_icon

FDL100N50F

May 2009UniFETTMFDL100N50FN-Channel MOSFET,FRFET 500V, 100A, 0.055Features Description RDS(on) = 0.043 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 50A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 238nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 64pF)This advanced technology has been

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
 fdl100n50f.pdf pdf_icon

FDL100N50F

isc N-Channel MOSFET Transistor FDL100N50FFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Ga

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPC8024-H | APT5017BVR | SM4336NSKP | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.