FDL100N50F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDL100N50F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDL100N50F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDL100N50F даташит

 ..1. Size:719K  fairchild semi
 fdl100n50f.pdf pdf_icon

FDL100N50F

May 2009 UniFETTM FDL100N50F N-Channel MOSFET,FRFET 500V, 100A, 0.055 Features Description RDS(on) = 0.043 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 50A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 238nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 64pF) This advanced technology has been

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
 fdl100n50f.pdf pdf_icon

FDL100N50F

isc N-Channel MOSFET Transistor FDL100N50F FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500 V DSS V Ga

Другие IGBT... FDI045N10AF102, STS3409L, FDI150N10, STS3409, FDI3632, STS3406, FDI8441, FDI8441F085, IRF3710, FDM3622, STS3405, FDMA0104, FDMA1023PZ, FDMA1024NZ, FDMA1025P, FDMA1027P, FDMA1027PT