FDM3622 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDM3622 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: POWER33
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FDM3622 datasheet
fdm3622.pdf
January 2007 FDM3622 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 4.4A, 60m Features General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 60m at VGS = 10V, ID = 4.4A Semiconductor's advanced PowerTrench process that has Max rDS(on) = 80m at VGS = 6.0V, ID = 3.8A been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low ga
Otros transistores... STS3409L, FDI150N10, STS3409, FDI3632, STS3406, FDI8441, FDI8441F085, FDL100N50F, 10N60, STS3405, FDMA0104, FDMA1023PZ, FDMA1024NZ, FDMA1025P, FDMA1027P, FDMA1027PT, FDMA1028NZ
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
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