FDM3622 Todos los transistores

 

FDM3622 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDM3622
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWER33
 

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FDM3622 datasheet

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FDM3622

January 2007 FDM3622 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 4.4A, 60m Features General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 60m at VGS = 10V, ID = 4.4A Semiconductor's advanced PowerTrench process that has Max rDS(on) = 80m at VGS = 6.0V, ID = 3.8A been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low ga

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History: NVTFS6H854N | STS3405

 

 

 


 
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