FDM3622 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDM3622
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: POWER33
Búsqueda de reemplazo de FDM3622 MOSFET
FDM3622 Datasheet (PDF)
fdm3622.pdf

January 2007FDM3622tmN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 4.4A, 60mFeatures General DescriptionThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 60m at VGS = 10V, ID = 4.4ASemiconductor's advanced PowerTrench process that has Max rDS(on) = 80m at VGS = 6.0V, ID = 3.8Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low ga
Otros transistores... STS3409L , FDI150N10 , STS3409 , FDI3632 , STS3406 , FDI8441 , FDI8441F085 , FDL100N50F , IRFB4110 , STS3405 , FDMA0104 , FDMA1023PZ , FDMA1024NZ , FDMA1025P , FDMA1027P , FDMA1027PT , FDMA1028NZ .
History: IXFM75N10 | IXFM6N100 | IXFM67N10 | 2N0609 | STP5N30FI | IXTH150N17T | IRLZ40
History: IXFM75N10 | IXFM6N100 | IXFM67N10 | 2N0609 | STP5N30FI | IXTH150N17T | IRLZ40



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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