FDM3622 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDM3622  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: POWER33

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDM3622

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM3622 даташит

 ..1. Size:233K  fairchild semi
 fdm3622.pdf pdf_icon

FDM3622

January 2007 FDM3622 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 4.4A, 60m Features General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 60m at VGS = 10V, ID = 4.4A Semiconductor's advanced PowerTrench process that has Max rDS(on) = 80m at VGS = 6.0V, ID = 3.8A been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low ga

Другие IGBT... STS3409L, FDI150N10, STS3409, FDI3632, STS3406, FDI8441, FDI8441F085, FDL100N50F, 10N60, STS3405, FDMA0104, FDMA1023PZ, FDMA1024NZ, FDMA1025P, FDMA1027P, FDMA1027PT, FDMA1028NZ