Справочник MOSFET. FDM3622

 

FDM3622 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDM3622
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: POWER33
 

 Аналог (замена) для FDM3622

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM3622 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  fairchild semi
 fdm3622.pdf pdf_icon

FDM3622

January 2007FDM3622tmN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 4.4A, 60mFeatures General DescriptionThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 60m at VGS = 10V, ID = 4.4ASemiconductor's advanced PowerTrench process that has Max rDS(on) = 80m at VGS = 6.0V, ID = 3.8Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low ga

Другие MOSFET... STS3409L , FDI150N10 , STS3409 , FDI3632 , STS3406 , FDI8441 , FDI8441F085 , FDL100N50F , IRFB4110 , STS3405 , FDMA0104 , FDMA1023PZ , FDMA1024NZ , FDMA1025P , FDMA1027P , FDMA1027PT , FDMA1028NZ .

History: CS2N60F

 

 
Back to Top

 


 
.